光MOS固态继电器由砷化铝镓红外发光二极管作为输入级光学耦合到高电压输出光探测电路，光探测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路构成，用以开启/关断两个独立的高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)；
光MOS在输出级有一对MOSFET，并提供与机械继电器和干簧继电器相同的功能，与机械继电器相比，光MOS具有使用寿命长、低电流驱动和快速响应等优点，广泛应用于如电信切换、数据通讯、 电池管理、 工业控制、医疗设备等半导体测试系统、安全系统等领域的非接触开关；华联提供了SOP4、DIP4/SMD4、DIP6/SMD6、DIP8/SMD8等的光MOS固态继电器；
除了市场常见型号之外，华联还提供了微型封装的光耦（USOP4、S-VSON4T、VSON4等封装，尺寸小至2.0×1.45×1.65mm，COFF低至:0.8pF，RON低至:0.1Ω）可广泛应用于SOC、RAM等高端半导体检测设备；以及超高压光耦（VDRM＞1700/3300V）、大电流光耦（Io＞3.5A）、以及常闭型MOS继电器。
